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MJD50G详细

TRANS POWER NPN 1A 400V DPAK

MJD50G厂商

ON Semiconductor

MJD50G参数

包装:管件可替代的包装,系列:-,晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A,电压 - 集射极击穿(最大值):400V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):200µA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 300mA,10V,功率 - 最大值:1.56W,频率 - 跃迁:10MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,供应商器件封装:DPAK-3
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